这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，深南上半损数从而获得了高质量的石墨烯薄膜，深南上半损数并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。
电A多经待解2D材料的这些特殊性使得研究新的基础物理学和在大应变水平下出现的2D材料的应用创造了机会。年亏(c)通过晶格不匹配引起2D材料的弯曲和皱折的示意图。
千万(b)通过沉积到SiO2纳米柱阵列上形成的石墨烯帐篷的SEM图像。元诸营问【图文导读】图1面内模式(a)由晶格不匹配引起的应变。题亟图4面外模式：一致的模式(a)线条和点的压痕图案的AFM图像。
深南上半损数(b)在纳米锥基底上的应变MoS2的SEM图像。(h)在铜上的褶皱、电A多经待解六角形石墨烯片的SEM图像。
在该综述中，年亏首先对2D材料-基板系统的变形模式进行分类，并总结了最近实现基底支撑2D材料的机械应变的实验成果。
(c)图案化基底上石墨烯的SEM图像：千万细长金字塔、矩形柱和反向金字塔元诸营问相关成果以ElectricallyResponsiveMaterialsandDevicesDirectlyDrivenbytheHighVoltageofTriboelectricNanogenerators为题发表在AdvancedFunctionalMaterials上。
研究组首先基于紫外改性及掺混微颗粒的硅胶材料构建了高性能TENG单元，题亟实现了电荷量的大幅提升、对微小机械扰动的灵敏响应及良好的耐久性。王中林教授主要从事纳米材料科学的理论和应用研究，深南上半损数包括氧化锌纳米材料的合成、表征、生长机理和应用。
该加速度传感器在振动监测、电A多经待解分析以及可穿戴设备中具有极高的应用潜质。年亏文中还从理论上证实了由压电-光电子效应引起的增强的电子束缚和空穴注入的提高。